Aimant de capteur TMR

Une introduction du capteur TMR

Le capteur TMR est un capteur à effet de magnétorésistance historique qui a été appliqué à des applications industrielles ces dernières années. Le capteur TMR a un taux de changement de résistance beaucoup plus élevé que les capteurs AMR et GMR, ainsi obtenu de nombreux avantages, notamment un faible coût et une faible consommation d'énergie, une fréquence de réponse et une sensibilité élevées. Hongyu a également acquis une certaine expérience dans l'aimant du capteur TMR en raison de l'utilisation largement répandue du capteur TMR.

Qu'est-ce que l'effet de magnétorésistance tunnel ?

La structure sandwich constituée de deux couches ferromagnétiques et d'une couche isolante peut être appelée jonctions tunnel magnétiques (MTJ). La magnétorésistance tunnel des MTJ sera modifiée lors du changement de l'orientation relative du moment magnétique de deux couches ferromagnétiques, et ce phénomène est connu sous le nom d'effet de magnétorésistance tunnel (TMR). La structure des composants TMR et GMR est fondamentalement la même, et la direction du courant des composants TMR et GMR est respectivement perpendiculaire et parallèle à la couche.

La direction de magnétisation de la couche épinglée est fixe et la direction de magnétisation de la couche libre peut être ajustée en fonction du champ magnétique externe, par conséquent, la résistance électrique du composant TMR changera également. Le composant TMR présente la moindre résistance une fois que la direction de magnétisation de la couche libre est parallèle à la couche épinglée, puis un flux de courant élevé à travers la barrière. Au lieu de cela, la résistance augmentera considérablement lorsque la direction de l'aimantation est antiparallèle, donc peu de courant circule à travers la barrière.

À propos de l'aimant du capteur TMR

L'équipe de Hongyu aidera les clients à choisir le capteur TMR approprié en fonction des spécifications techniques détaillées et se réjouit de coopérer avec les clients concernés.